YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

有色金属行业标准

标准编号：YS/T 1600-2023

标准名称：碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

英文名称：Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal- Glow discharge mass spectrometry

发布日期：2023-04-21

实施日期：2023-11-01

提出单位：全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部

起草人

刘红、刘鹏宇、胡芳菲、杨复光、刘丽媛、赵景鑫、孙道儒、骆红、佘宗静、黄景明、朱赞芳、谭秀珍、杨昆、李铭、马媛

国合通用测试评价认证股份公司、国标（北京）检验认证有限公司、南京国盛电子有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技（云南）有限公司

本文件规定了碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的辉光放电质谱测定方法。

本文件适用于碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表1。