GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

标准编号：GB/T 41153-2021

标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

英文名称：Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

发布日期：2021-12-31

实施日期：2022-07-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

马农农、何友琴、何烜坤、李素青、陈潇、刘立娜、张红岩

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司

标准范围

本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。

本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5X10¹³cm^-3、铝含量不小于5X10¹³cm^-3氮含量不小于5X10¹⁵cm^-3，元素浓度（原子个数百分比）不大于1%。

注1：碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。

注2:碳化硅单晶中钒杂质含量的测定可参照本文件进行，测定范围为钒含量不小于1x10¹³cm-³c。

标准文档截图