GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

标准编号：GB/T 17170-1997

标准名称：非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

英文名称：Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

发布日期：1997-12-22

实施日期：1998-08-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

起草单位

电子工业部第四十六研究所

标准范围

本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10<上标7>Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。

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