GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标准编号：GB/T 14141-2009

标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

李慎重、许峰、马林宝、何秀坤、刘培东、谌攀

起草单位

宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、南京国盛电子有限公司

标准范围

u3000u3000本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 u3000u3000本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

标准文档截图