- GB/T 4325.10-2013 钼化学分析方法 第10部分:铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
- GB/T 29512-2013 手部防护 防护手套的选择、使用和维护指南
- GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
- GB/T 4325.25-2013 钼化学分析方法 第25部分:氢量的测定 惰气熔融红外吸收法/热导法
- GB/T 4325.6-2013 钼化学分析方法 第6部分:砷量的测定 原子荧光光谱法
- GB/T 4325.20-2013 钼化学分析方法 第20部分:锰量的测定 火焰原子吸收光谱法
- GB/T 4325.11-2013 钼化学分析方法 第11部分:铝量的测定 铬天青S分光光度法和电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 4325.26-2013 钼化学分析方法 第26部分:铝、镁、钙、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、镉、锡、锑、钨、铅和铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 4325.3-2013 钼化学分析方法 第3部分:铋量的测定 原子荧光光谱法
- GB/T 4325.8-2013 钼化学分析方法 第8部分:钴量的测定 钴试剂分光光度法和火焰原子吸收光谱法
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
标准编号:GB/T 29505-2013
标准名称:硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
英文名称:Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
发布日期:2013-05-09
实施日期:2014-02-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
孙燕、李莉、向磊、卢立延、翟富义
起草单位
有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所
标准范围
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序,并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量,也可用于其他类型的平坦晶片材料,但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。