GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
标准编号：GB/T 8760-2020
标准名称：砷化镓单晶位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
发布日期：2020-09-29
实施日期：2021-08-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
赵敬平、林泉、刘淑凤、姚康、马英俊、王彤涵、陈晶晶、付萍、于洪国、惠峰、许所成、许兴、赵素晓、韦圣林
起草单位
有研光电新材料有限责任公司、国合通用测试评价认证股份公司、广东先导稀材股份有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团第四十六研究所、雅波拓（福建）新材料有限公司
标准范围
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于｛100｝、{111｝面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0cm-2~100000cm-2。
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