T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅单晶抛光片

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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标准编号:T/IAWBS 005-2018

标准名称:6 英寸碳化硅单晶抛光片

英文名称:6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers

发布日期:2018-12-06

实施日期:2018-12-17

团体名称:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

陆敏、彭同华、郑红军、佘宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、 钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有 限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物 理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团 公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成 电子科技(厦门)有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技(北京)有限公司

标准范围

本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。产品作为衬底材料主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件。

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