T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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标准编号：T/CASAS 009-2019

标准名称：半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

英文名称：Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry

发布日期：2019-11-25

实施日期：2019-11-25

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

齐俊杰、魏学成、李志超、胡超胜、卫喆、张志国、陈秀芳、杨昆、杨祥龙、王亚哲、郭艳敏、王锡铭、张新河、李晋闽

北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、山东大学、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、深圳第三代半导体研究院。