T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

73浏览

标准编号：T/CASAS 006-2020

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

英文名称：The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

发布日期：2020-12-28

实施日期：2021-01-01

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬

中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。