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T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
标准编号：T/CNIA 0017-2019
标准名称：多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
英文名称：Determination of impurity content in chlorosilane for polysilicon-Inductively coupled plasma mass sepectrometry
发布日期：2019-02-13
实施日期：2019-06-01
团体名称：中国有色金属工业协会
起草人
银波、邱艳梅、刘国霞、罗建文、谭忠芳、于生海、宗金平、宗凤云、孟凡江、张云晖
起草单位
新特能源股份有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、新疆东方希望新能源有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司
标准范围
本标准规定了多晶硅用氯硅烷中杂质(硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠)含量的电感耦合等离子体质谱测定方法。
本标准适用于多晶硅用氯硅烷中杂质(硼、磷、铁、钙、铝、铬、镍、铜、锌、钛、钾、钠)含量的测定，测定范围为0μg/L~1000μg/L。