- GB/T 42149-2022 轨道交通 地面装置 基于数字通信的中压供电系统电流保护技术规范
- GB/T 21079.1-2022 金融服务 安全加密设备(零售)第1部分:概念、要求和评估方法
- GB/T 42202-2022 智能制造 大规模个性化定制 通用要求
- GB/Z 17215.651-2022 电测量数据交换 DLMS/COSEM组件 第51部分:应用层协议
- GB/T 42160-2022 晶界扩散钕铁硼永磁材料
- GB/T 41950-2022 金属覆盖层 钢铁上经过无六价铬处理的锌和锌合金电镀层
- GB/T 29374-2022 粮油储藏 谷物冷却机应用技术规程
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 22264.7-2022 安装式数字显示电测量仪表 第7部分:多功能仪表的特殊要求
- GB/Z 17215.669-2022 电测量数据交换 DLMS/COSEM组件 第69部分:公共信息模型消息集(IEC 61968-9)与DLMS/COSEM(IEC 62056)数据模型和协议间的映射
GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
标准编号:GB/T 42271-2022
标准名称:半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
英文名称:Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
发布日期:2022-12-30
实施日期:2023-04-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
彭同华、佘宗静、李素青、王波、刘立娜、王大军、张贺、杨建、袁松
起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、有色金属技术经济研究院有限责任公司
标准范围
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为1×105Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。