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T/CNS 81-2022 电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
标准编号：T/CNS 81-2022
标准名称：电荷耦合器件质子位移损伤效应模拟试验方法
英文名称：Simulation test method of proton induced displacement damage effects in charge-coupled device
发布日期：2022-12-16
实施日期：2023-04-01
团体名称：中国核学会
起草人
文林、李豫东、郭旗、周东、何承发、张兴尧、于新、冯婕、王信、张丹、崔帅、李鹏伟
起草单位
中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团公司第五研究院物资部
标准范围
本文件描述了采用质子对电荷耦合器件(CCD)进行位移损伤效应辐照试验的一般要求、试验方法和程序。
本文件适用于宇航用CCD位移损伤效应辐照试验。