中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。
T/IAWBS 001-2021 碳化硅单晶
本文件规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、检测方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本文件适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制...
T/IAWBS 004-2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法
本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件，如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。本文件适用于功率半导体器...
T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为 0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单...
T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。本标准适用于电阻率0.005Ω·cm到200Ω· cm和表面电阻0.032...
T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法—共焦点微分干涉光学法
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法，表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本标准适用于经化学机械抛光及最终清洗工序的碳化硅单晶抛光片，抛光片直径为50.8...
T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。本标准适用于电阻率测量范围：105Ω•cm-1012Ω•cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm的衬底。
T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。本标准适用于硅半导体器件以及...
T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016...
T/IAWBS 005-2018 6 英寸碳化硅单晶抛光片
本标准规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于6 英寸4H 及6H...
T/IAWBS 006-2018 碳化硅混合模块测试方法
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。