北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
T/CASAS 031-2023 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法
本文件描述了氮化镓功放模块(以下简称“GaN 功放”)的测试条件、测试要求和测试方法。本文件适用于 GaN 功放的测试、质量评价。
T/CASAS 029-2023 Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法
本文件描述了 Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法，用户根据需求与实际情况参考使用。本文件适用于共源组成方式的 GaN...
T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于100mm(4吋)~200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅...
T/CASAS 025-2023 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
本文件规定了 8 英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸。本文件适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片。
T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
本文件描述了射频 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片的二维电子气迁移率非接触 Hall...
T/CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法
本文件描述了 GaN 毫米波前端芯片(以下简称“GaN 前端芯片”)的测试条件、测试要求和测试方法。本文件适用于 GaN 前端芯片的测试、质量评价。
T/CASAS 028-2023 Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法
本文件描述了 Sub-6GHz GaN 射频器件(以下简称“器件”)的可靠性筛选和验收方法。本文件适用于射频器件的生产、测试、检验和质量评价。
T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为 20 ns~200 μs 的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于SiC...
T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC...
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。
T/CASAS 011.2-2021 车规级半导体功率模块测试认证规范
本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证。
T/CASAS 014-2021 碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化...
T/CASAS 020-2021 微纳米金属烧结体热导率试验方法 闪光法
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。本方法适用于微纳米金属烧结体，不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。本方法测试...
T/CASAS 019-2021 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体...
T/CASAS 017-2021 第三代半导体微纳米金属烧结技术术语
本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结技术相关术语的定义，具体包括一般术语、烧结原理相关术语、烧结材料相关术语、烧结工艺相关术语、性能...
T/CASAS 011.1-2021 车规级半导体功率器件测试认证规范
本文件规定了车规级半导体功率器件的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基半导体功率器件的测试认证。
T/CASAS 018-2021 微纳米金属烧结连接件 剪切强度试验方法
本文件规定了微纳米金属烧结连接件剪切强度的测试方法。本文件适用于微纳米金属烧结连接件剪切强度的测定和失效模式判定(如果出现失效)，用于微纳米金属...