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GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
标准编号：GB/T 14144-2009
标准名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
英文名称：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
杨旭、江莉
起草单位
峨嵋半导体材料厂
标准范围
u3000u3000本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 u3000u3000本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。