立即下载标准文件- GB/T 30986-2014 生化制品中葡萄糖、蔗糖、麦芽糖含量的测定 液相色谱示差折光法
- GB/T 3995-2014 高铝质隔热耐火砖
- GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片
- GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
- GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
- GB/T 30990-2014 溶菌酶活性检测方法
- GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
- GB 14287.1-2014 电气火灾监控系统 第1部分：电气火灾监控设备
- GB/T 30966.3-2014 风力发电机组 风力发电场监控系统通信 第3部分：信息交换模型
- GB/T 30966.2-2014 风力发电机组 风力发电场监控系统通信 第2部分：信息模型
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
标准编号：GB/T 30867-2014
标准名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
标准范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。