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GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
标准编号：GB/T 32189-2015
标准名称：氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
英文名称：Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
发布日期：2015-12-10
实施日期：2016-11-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
刘争晖、钟海舰、邱永鑫、曾雄辉、徐耿钊、樊英民、王建峰、徐科
起草单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
标准范围
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10nm 的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。