GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

标准编号：GB/T 1557-2018

标准名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

英文名称：Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption

发布日期：2018-09-17

实施日期：2019-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

银波、夏进京、柴欢、赵晶晶、王海礼、邓浩、陈赫、石宇、邱艳梅、刘国霞、刘文明、姚利忠、高明、郑连基、杨旭、肖宗杰

起草单位

新特能源股份有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、峨嵋半导体材料研究所、有研半导体材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司

标准范围

本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。

本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω · cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω · cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1X10¹⁶cm^-3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量（原子数）的测试范围从0.5X10¹⁵cm^-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

标准文档截图