T/IAWBS 007-2018 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

标准编号：T/IAWBS 007-2018

标准名称：4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法

英文名称：Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance

发布日期：2018-12-06

实施日期：2018-12-17

团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、 陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所

标准范围

本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺
杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。

标准文档截图