T/CASAS 001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

标准编号：T/CASAS 001-2018

标准名称：碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

英文名称：General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

发布日期：2018-09-21

实施日期：2018-09-21

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

许恒宇、李金元、柏松、李诚瞻、刘鹏飞、万彩萍、查祎英、刘奥、周维、赵璐冰、高伟

起草单位

中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司

标准范围

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