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T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
标准编号：T/CASAS 026-2023
标准名称：碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
英文名称：Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay
发布日期：2023-06-19
实施日期：2023-06-19
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏
起草单位
山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准范围
本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。
本文件适用于少数载流子寿命为 20 ns~200 μs 的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。