立即下载标准文件- GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- GB/T 15672-2009 食用菌中总糖含量的测定
- GB/T 16945-2009 电子工业用气体 氩
- GB/T 24512.2-2009 核电站用无缝钢管 第2部分：合金钢无缝钢管
- GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
- GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
- GB 24544-2009 坠落防护 速差自控器
- GB/T 12467.5-2009 金属材料熔焊质量要求 第5部分：满足质量要求应依据的标准文件
- GB/T 16484.10-2009 氯化稀土、碳酸轻稀土化学分析方法 第10部分：氧化锰量的测定 火焰原子吸收光谱法
- GB/T 16484.7-2009 氯化稀土、碳酸轻稀土化学分析方法 第7部分：氧化镁量的测定 火焰原子吸收光谱法
GB/T 10117-2009 高纯锑
标准编号：GB/T 10117-2009
标准名称：高纯锑
英文名称：High purity antimonium
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
王炎、蒋蓉
起草单位
峨嵋半导体材料厂
标准范围
u3000u3000本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单（或合同）内容等。 u3000u3000本标准适用于以工业锑为原料，经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.9999%的高纯锑。产品用于制备Ⅲ-Ⅴ族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。