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GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
标准编号：GB/T 1551-2009
标准名称：硅单晶电阻率测定方法
英文名称：Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
李静、何秀坤、张继荣、段曙光
起草单位
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准范围
u3000u3000本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 u3000u3000本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。