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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
标准编号：GB/T 14146-2009
标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
马林宝、唐有青、金龙、吕立平、刘培东、李静
起草单位
南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心、宁波立立电子股份有限公司
标准范围
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。 u3000u3000本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。