立即下载标准文件- GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片
- GB/T 4325.1-2013 钼化学分析方法 第1部分：铅量的测定 石墨炉原子吸收光谱法
- GB/T 14164-2013 石油天然气输送管用热轧宽钢带
- GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
- GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
- GB/T 4325.10-2013 钼化学分析方法 第10部分：铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
- GB/T 29512-2013 手部防护 防护手套的选择、使用和维护指南
- GB/T 29504-2013 300mm 硅单晶
- GB/T 4325.25-2013 钼化学分析方法 第25部分：氢量的测定 惰气熔融红外吸收法/热导法
- GB/T 4325.6-2013 钼化学分析方法 第6部分：砷量的测定 原子荧光光谱法
GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片
标准编号：GB/T 29508-2013
标准名称：300mm 硅单晶切割片和磨削片
英文名称：300mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices
发布日期：2013-05-09
实施日期：2014-02-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草人
闫志瑞、孙燕、张果虎、向磊、盛方毓、卢立延
起草单位
有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所
标准范围
本标准规定了直径300 mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm～20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。