电子行业标准

本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南。标准适用于在室温下测试电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和电阻率大于0.5Ω·cm的p型硅单晶中间氧含量。

本标准规定了小功率半导体发光二极管芯片(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存。本标准适用于可见光芯片，紫外发射二极管芯片和红外发射二极管芯片可参照执行。

本标准规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量。本标准适用于在室温下用短基线红外吸收法，测量低阻率的n型硅单晶和p型硅单晶中间隙氧含量。测量氧含量的有效范围从1×10∧16at.com3至硅...

本标准规定了发光二极管器件产品（简称LED器件产品）型号的命名规则。本标准适用于可见光LED器件产品，其他LED器件产品可参照本标准。

SJ/T...

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度＜0．2％（1×10∧2at·cm-3）的单晶样品，其中氮的浓度大于等于1...

本部分规定了液晶显示用背光组件（以下简称背光组件）的光学和光电性能的测试方法。本部分适用于各类液晶显示用背光组件，包括半导体发光二极管（LED）、冷阴极荧光灯（CCFL）、电致发光（EL）等背光组件。

本标准规定了一氧化碳的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于甲酸脱水、甲酸甲酯选择分解、木炭还原二氧化碳、甲醇裂解或使用天然气、轻油、重质液态烃、焦炭、煤等含碳物质为原料经过...

本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法，包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中，原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗...

本标准规定了印制电路用热固导体浆料的术语及定义、要求、试方法、检验规则和包装、标志、运输等。本标准适用于印制电路板导电图形、接点、触点、跳线、孔填充以及薄膜开关、内埋电阻、RID等制造用的加热...

SJ/T 11521的本部分规定了支持多标准兼容、多协议融合和多业务集成的数字电视接收设备交互式软件平台系统架构。本部分适用于数字电视接收设备交互式平台产品设计及研发，适用于基于该平台的交互式窗件应用开发。

本标准规定了网络电视机的网络应用技术要求。本标准适用于具有互联网功能的数字电视机。

SJ/T...

本标准规定了符合SJ/T 11310-2005和SJ/T 11310．2-2015的形态的设备类型标识符要求，功能性设备类型标识符要求及其接口要求。本标准适用于参与IGRS服务的各种设备。

标准规定了太阳电池用铝浆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存等。

本标准定义了对于基于对象的存储设备的控制操作的命令集扩展。在本标准中，结合ISO/IEC14776-454SCSI主命令SPC-4中适用的章条实现有关SCSI基于对象的存储设备类的章条，规定了用...

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度＜0.2％（1×10∧20at·cm-3）的硅材料。特别适用于电阻率在0....

本标准规定了集成电路用正胶显影液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、储存、运输等。本标准适用于集成电路用正胶显影液，以下简称正胶显影液。本标准不涉及使用安全性问题。本标准...

本标准规定了服装制造生产线射频识别系统的术语和定义、技术要求、测试方法、质量评定程序、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于服装制造生产线射频识别系统的设计、使用和测试。

标准规定了液晶显示器用铝腐蚀液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、储存、运输等。本标准适用于液晶显示器用铝腐蚀液，以下简称铝腐蚀液。本标准不涉及使用安全性问题。本标准的使...