- GB/T 14140.2-1993 硅片直径测量方法 千分尺法
- GB/T 14140.1-1993 硅片直径测量方法 光学投影法
- GB/T 14143-1993 300~900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
- GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
- GB/T 14139-1993 硅外延片
- GB/T 14078-1993 氦氖激光器技术条件
- GB/T 14077-1993 双折射晶体和偏振器件测试规范
- GB/T 14074.1-1993 木材胶粘剂及其树脂检验方法 外观测定法
- GB/T 14074.5-1993 木材胶粘剂及其树脂检验方法 固体含量测定法
- GB/T 14094-1993 卤钨灯
GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
标准编号:GB/T 14141-1993
标准名称:硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称:Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array
发布日期:1993-02-06
实施日期:1993-10-01
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门:国家标准化管理委员会
起草人
起草单位
峨眉半导体材料研究所