GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

标准编号：GB/T 1558-2009

标准名称：硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法

英文名称：Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门：国家标准化管理委员会

起草人

何秀坤、李静、段曙光、梁洪

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心、峨嵋半导体材料厂、中国电子科技集团公司第四十六研究所

标准范围

u3000u3000本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。 本标准适用于电阻率高于3Ω·cm的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω·cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。

标准文档截图