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T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
标准编号：T/IAWBS 008-2019
标准名称：SiC晶片的残余应力检测方法
英文名称：Experimental method for residual stress in SiC wafers
发布日期：2019-12-27
实施日期：2019-12-31
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草人
苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司
标准范围
本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。