T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

标准编号：T/IAWBS 014-2021

标准名称：碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

英文名称：Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

发布日期：2021-09-15

实施日期：2021-09-22

团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草人

彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司

标准范围

本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。

本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为 0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。

标准文档截图