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T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
标准编号：T/IAWBS 014-2021
标准名称：碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
英文名称：Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
发布日期：2021-09-15
实施日期：2021-09-22
团体名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草人
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司
标准范围
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为 0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。