立即下载标准文件- T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
- T/CASAS 025-2023 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸
- T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
- T/CASAS 030-2023 GaN毫米波前端芯片测试方法
- T/CASAS 028-2023 Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法
- T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
T/CASAS 029-2023 Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法
标准编号：T/CASAS 029-2023
标准名称：Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法
英文名称：Test method for microwave characteristics of Sub-6GHz GaN radio-frequency devices
发布日期：2023-06-30
实施日期：2023-07-01
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
默江辉、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏
起草单位
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准范围
本文件描述了 Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法，用户根据需求与实际情况参考使用。
本文件适用于共源组成方式的 GaN 射频器件的测试分析及质量评价。